제목 : 나노씨엠에스, 기존 실리콘 반도체 대비 전력 손실 1/100 수준 Sic 전력반도체 공급...테슬라 모델 3에 도입↑
나노소재 전문기업 나노씨엠에스는 5일 대만 실리콘카바이드(SiC) 기판제조사에 SiC 반도체용 재료를 공급하기로 했다고 밝혔다.
SiC반도체는 기존 실리콘(Si)반도체 대비 고온안전성 3배, 전력 손실 1/100, 내전압 10배, 고주파 10배에 달하며, SiC 전력반도체가 전기차 전력효율을 7%정도 개선할 수 있다.
이에 테슬라도 2018년 모델3에 이 반도체를 도입했으며, 현재 전체 전기차의 3분의 1이 이 SiC전력반도체를 사용중이고 2025년이면 60%까지 상승할 것으로 보고 있다.
나노소재기반 원천기술을 갖고있는 나노씨엠에스는 nano-metal 소재와 같은 나노소재에 대한 연구를 지속해오면서 신규시장진출을 위해 SiC반도체용 소재를 발굴하여 공급하기로 했다.
나노씨엠에스는 꾸준한 매출을 기록하고 있는 위조방지 보안소재 부문, 아직 본격적으로 시장이 열리지는 않았지만 잠재력이 큰 바이러스사멸램프부문에 현재 성장하고 있는 시장인 SiC 반도체 재료부문이 새롭게 추가된 만큼 또 하나의 성장기회를 확보하게 됐다며, 이번 공급을 바탕으로 나노소재 전문기업의 입지를 더욱 굳건히 할 수 있도록 할 것이라고 밝혔다.
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